[神州智达]2024-2025高三省级联测考试··冲刺卷Ⅰ(一)化学答案正在持续更新，目前大联考答案为大家整理了相关试题及答案，供大家查缺补漏，高效提升成绩。

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4利用催化剂可以将有害气体C0和S0转变为S和C0,反应的方程式为2C0(8)十S0(g)一一SD+2C0(g)。设八为阿伏加德罗常数，下列说法错误的是()Q.GN是第三代半导体的典型代表，具有良好的热学和化学稳定性，金属金能化辅助绿色制A若产生2g硫转移电于数为4备GN纳米线的生长机理如图所示。Au层在8O0C以上的高温下液化并聚集形度多个小B标准状况下112mL.CO中子数为Q09N液滴，形成GaN生长的形核位点，GaN结晶体不断在Au液滴与CaN晶体的界面形成GaN纳米短棒。下列说法正确的是C4转sCO中含s键有4N(DQQ1elSO通入10mL.1mel/L NaOH溶液中，HSO小于0.01VGa-N.N'e N.芳纶11（化合物Q)是一种蛋度高、窗度低的材料，具有耐酸、耐减、耐高温、耐磨等特性。金属催化层芳纶桂合成反应如下，下列说法正确的是(b)GaN纳米线NNH+HC0OH HNHOH +PQA、M的名称为二苯袋低温且与M有相同言能团的属于芳香莲化合物的同分异构体有：种(e)GaN(s)CP为(N一1DLOGaN纳米榨温度DM、N、Q中的碳原子都为sp杂化®下图是网、图窗子形成的某种离子液体结构图。W、X、Y、2为原子序数依次增大的前四周高温策元素、XY同圆期，下的L尽电子效是K层的两情，基态Z原子核外电子占有个能饭、0下列议迷正确的是()),GaN纳米线的生长机理图AW裂水的第一电离旋前者大AG的核外电子排布简式为[A的4sp少X·it-tirR和Y的电负性前著大i)-W--W-YWZB(a)到(b)过程中N形成氮的等离子体C四种元素形成的单质课点最高的是八，最低的是YC(c)到(d发生的基元反应为3Ga(g)+N(g)+N(g)+N(g)一3GaN(g)人DXY分别W形成最蔺唯的化合顿后者键角大D产物(D比(e)粗易形成纳米棒，由于温度高、GaN生成速率快下列高子方混式正确的是10.如图是买验登中常见的组合装置，关于下列仪器的组合说法晚的是A用酸能的读能秤淀粉溶液检验加碘盐中的1QIO、+厂+H一L+比O术附氢策酸雕刘成离SO+H十4F一SFA+2HOC震波沫天火器灭火的原理HO+A++CO—A(OHD￥+SCO+DO溶滚中加入Q产生沉淀：Fe+LQ+4HO一Fe(OHDY+4H?代展据下列实验漠作和现象得出的结论正喷的是速项实龄桌作戏象结论U不A室温下冠H试派测定同浓度的NaClo NaClo溶液溶液NC装CO0溶液的HK.(HCIO

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